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International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices
International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices
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1.
STUDY OF SELF-HEATING INFLUENCE ON DEVICE PERFORMANCE OF 0. lμm SOI MOSFETs INCLUDING VELOCITY OVERSHOOT
机译:
研究自加热对装置性能的影响0. Lμmsoi mosfet,包括速度过冲
作者:
K
;
H. Ishiuchi
;
M. Yoshimi
;
Y. Katsumata
;
K Inoh
;
K. Matsuzawa
;
S. Kawanaka
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
2.
ISOLATION TECHNIQUES, PARASITIC SIDEWALL CONDUCTION AND NARROW CHANNEL EFFECTS ON SOI MOSFET's
机译:
SOI MOSFET的隔离技术,寄生侧壁传导和窄通道效应
作者:
Dimitris E. Ioannou
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
3.
SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS ON INSULATOR
机译:
绝缘体上的SiGe异质结双极晶体管
作者:
H.
;
W. Redman-White
;
J.M. Bonar
;
H.A.W. El Mubarek
;
P. Ashburn
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
4.
IMPROVED LOCOS ISOLATION FOR ULTRA THIN 0.18 μm FULLY-DEPLETED SOI CMOS
机译:
改进的超薄0.18μm的Locos隔离完全耗尽的SOI CMOS
作者:
K.U. Leuven
;
Kristin De Meyer
;
Hans van Meer
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
5.
RELAXED SIGE ON INSULATOR FABRICATED VIA WAFER BONDING AND LAYER TRANSFER: ETCH-BACK AND SMART-CUT ALTERNATIVES
机译:
在绝缘体上通过晶片键合和层转印的绝缘体上放松SiGe:蚀刻和巧妙的替代品
作者:
Dimitri. A. Antoniadis
;
Judy L. Hoyt
;
Eugene A. Fitzgerald
;
Arthur Pitera
;
Minjoo L. Lee
;
Thomas A. Langdo
;
Chris W. Leitz
;
Matthew T. Currie
;
Zhi-Yuan Cheng
;
Gianni Taraschi
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
6.
EFFECT OF QUANTUM CONFINEMENT IN SOI SINGLE-HOLE TRANSISTORS
机译:
量子限制在SOI单孔晶体管中的影响
作者:
V. Bayot
;
F. Van de Wiele
;
J.P. Colinge
;
X. Baie
;
Xiaohui Tang
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
7.
A PROCESS-BASED COMPACT MODEL FOR DOUBLE-GATE MOSFETS
机译:
双栅极MOSFET的基于过程的紧凑型模型
作者:
J. G. Fossum
;
M.-H. Chiang
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
8.
A fully depleted △-channel SOI NMOSFET
机译:
一个完全耗尽的△-Channel Soi NMOSFET
作者:
Z. Jiao
;
C. A. T. Salama
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
9.
IMPACT OF BODY-TO-BODY LEAKAGE ON MOSFET DESIGN SCALING IN PARTIALLY DEPLETED SOI
机译:
体内泄漏对部分耗尽SOI MOSFET设计缩放的影响
作者:
M.J. Sherony
;
W. Rausch
;
E.J. Nowak
;
M. Ieong
;
W. Clark
;
A. Bryant
;
J.W. Sleight
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
10.
ANALYSIS OF MICROSTRUCTURAL PROPERTIES OF SIMOX WAFERS WITH PHOTOLUMINESCENCE
机译:
光致发光的Simox晶片微观结构性能分析
作者:
Maria J. Anc
;
Victor Higgs
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
11.
DESIGN CONSIDERATIONS FOR SOI CHARGE PUMP CIRCUITS
机译:
SOI电荷泵电路的设计考虑因素
作者:
A
;
Christophe Tretz
;
Dimitris E. Ioannou
;
Souvick Mitra
;
Akram Salman
;
Niraj Subba
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
12.
SUPPRESSION OF FLOATING BODY EFFECT WITH SIGE SOURCE STRUCTURE FOR FULLY DEPLETED SOI MOSFET'S
机译:
用SiGe源结构抑制浮体效应,以全耗尽SOI MOSFET
作者:
H.S.
;
K.P. Suh
;
Y. W. Kim
;
B.S. Kim
;
H.S. Kang
;
Y.G. Ko
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
13.
CHARACTERIZATION OF THIN-FILM SOI SPLIT - DRAIN MOS TRANSISTORS AS MAGNETIC SENSORS
机译:
薄膜SOI分流 - 漏极晶体管作为磁传感器的表征
作者:
Denis Flandre
;
Gonzalo Plcun
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
14.
DEFECTS AND STRAIN IN HYDROGEN AND HELIUM CO-IMPLANTED SILICON
机译:
氢气和氦的缺陷和菌株共注入硅
作者:
L. M. Wang
;
S.X. Wang
;
Chenglu Lin
;
Miao Zhang
;
Weili Liu
;
Xinzhong Duo
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
15.
Analysis of non-stationary transport and quantum effects in realistic 0.1μm partially-depleted SOI technology
机译:
逼真的运输和量子效应在现实0.1μm部分耗尽的SOI技术分析
作者:
Daniela Munteanu
;
Gilles Le Carval
;
Claire Fenouillet-Beranger
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
16.
COMBINING SOI TECHNOLOGY AND ASYNCHRONOUS DESIGN FOR POWER REDUCTION
机译:
结合SOI技术和异步设计的功率降低
作者:
Steve Hall
;
Linda Brackenbury
;
David Donaghy
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
17.
MIXED-SIGNAL LSI TECHNOLOGY USING SOI DEVICES FOR FINGERTIP-SIZED COMMUNICATOR
机译:
使用SOI设备的混合信号LSI技术为指尖尺寸的通信器
作者:
Y. Ma
;
J. Yamada
;
M. Harada
;
S. Nakata
;
T. Douseki
;
Y. Matsuya
;
Y. Kado
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
18.
A FULLY DEPLETED A-CHANNEL SOI NMOSFET
机译:
一个完全耗尽的A频道SOI NMOSFET
作者:
C. A. T. Salama
;
C. A. T. Salama
;
Z. Jiao
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
19.
NANO GAP FABRICATION BY THERMAL STRESS CLEAVAGE ON SIMOX SOI FOR LATERAL FED APPLICATION
机译:
纳米间隙通过热应激裂解在SIMOX SOI上进行横向喂养应用
作者:
Jong-Hyun Lee
;
Jung-Hee Lee
;
Sung-Ho Hahm
;
Young-Ho Bae
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
20.
TOTAL DOSE RADIATION RESPONSE OF 0.25 μm SOI PD CMOS TRANSISTORS
机译:
0.25μmSOIPD CMOS晶体管的总剂量辐射响应
作者:
P.
;
T. Barge
;
W. C. Jenkins
;
P. F. Fechner
;
S. T. Liu
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
21.
MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON TRANSPORT IN SILICON-ON-INSULATOR DEVICES
机译:
硅环式硅运输蒙特卡罗模拟
作者:
J.B.R
;
P.Cartujo
;
J.E.Carceller
;
P.Cartujo-Cassinello
;
J.A.Lopez-Villanueva
;
J.B.Roldan
;
F.Gamiz
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
22.
HOT-CARRIER EFFECTS IN DEEP SUBMICRON SOI-MOSFETS DURING OFF-STATE OPERATION: AGING CHARACTERISTICS AND DEFECT EVALUATION
机译:
在离子操作期间深度亚微米SOI-MOSFET中的热载波效应:老化特征和缺陷评估
作者:
G.J. Papaioannou
;
F. Balestra
;
J. Jomaah
;
P. Dimitrakis
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
23.
FULLY DEPLETED SIMOX SOI PROCESS TECHNOLOGY FOR LOW POWER DIGITAL AND RF DEVICE
机译:
完全耗尽的SIMOX SOI工艺技术,用于低功耗数字和RF器件
作者:
Fumio ICHIKAWA
;
Yasuhiro FUKUDA
;
Yoshiaki KATAKURA
;
Koichi YOKOMIZO
;
Shuji ITO
;
Yasuaki KAWAI
;
Masahiro ITOH
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
24.
EVALUATION AND COMPARISON OF VARIOUS SILICON-ON-SAPPHIRE (SOS) MATERIALS USING THE PSEUDO-MOSFET TECHNIQUE
机译:
使用伪MOSFET技术的各种硅 - 蓝宝石(SOS)材料的评估与比较
作者:
Akitaka Yasujima
;
Masahiro Matsui
;
Gerard Ghibaudo
;
Sorin Cristoloveanu
;
Nasser Hefyene
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
25.
ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL-BURIED OXIDE-SILICON STRUCTURES FABRICATED BY LOW DOSE SIMOX PROCESS
机译:
低剂量SIMOX工艺制造的金属埋氧化硅结构的电气性能
作者:
S. Cristoloveanu
;
G.J. Papaioannou
;
P. Dimitrakis
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
26.
DETERMINATION OF SILICON FILM DOPING CONCENTRATION AND BACK INTERFACE OXIDE CHARGE DENSITY USING SOI-MOS CAPACITOR
机译:
使用SOI-MOS电容测定硅膜掺杂浓度和后界面氧化物电荷密度的测定
作者:
Joao Antonio Martino
;
Victor Sonnenbergl
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
27.
AVALANCHE CURRENTS IN HIGH-VOLTAGE, THIN-FILM SILICON-ON-INSULATOR DEVICES
机译:
高压,薄膜硅式镶嵌装置中的雪崩电流
作者:
Inesz Emmerik-Weijland
;
Han Gerritsen
;
Rene P. Zingg
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
28.
POTENTIAL OF SURFACE ACCUMULATION MODE FOR DEEP-SUBMICRON FULLY-DEPLETED SOI CMOS TECHNOLOGIES
机译:
深度亚微米完全耗尽SOI CMOS技术的表面累积模式的潜力
作者:
E.
;
D. Flandre
;
E. Rauly
;
B. Iniguez
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
29.
A Tunneling-Barrier Junction MOSFET on SOI Substrates with a Suppressed Short-Channel Effect for the Ultimate Device Structure
机译:
SOI基板上的隧道屏障结MOSFET,具有抑制终极器件结构的短信效应
作者:
Yasuhisa Omura
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
30.
VALIDATION OF EXTRACTED HIGH FREQUENCY SMALL SIGNAL PARAMETERS ON SOI DEVICES
机译:
SOI设备上提取的高频小信号参数验证
作者:
V.
;
J. du Port de Poncharra
;
J.L. Pelloie
;
J.L. Gautier
;
N. Fel
;
V. Ferlet-Cavrois
;
A. Bracale
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
31.
NON-DESTRUCTIVE IMPULSIVE STIMULATED THERMAL SCATTERING (ISTS) ANALYSIS OF SOI DEFECTS IN SIMOX
机译:
非破坏性脉冲刺激的热散射(ISTS)SIMOX中的SOI缺陷分析
作者:
M. G
;
L.P. Allen
;
M. Banet
;
M. Gostein
;
M.J. Anc
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
32.
SELF-CONSISTENT SIMULATION OF NANO SCALE SOI DEVICES: THE CASE OF NANO FLASH MEMORY
机译:
纳米尺度SOI器件的自洽仿真:纳米闪存的情况
作者:
V. Bayot
;
F. Van de Wiele
;
J.P. Colinge
;
X. Baie
;
Xiaohui Tang
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
33.
Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET Structure for Sub-50-nm Channel Regime
机译:
用于子50-NM频道制度的绝缘体上的绝缘体(SOI)MOSFET结构
作者:
Yasuhisa Omura
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
34.
A COMPACT MODEL FOR SILICON-ON-INSULATOR LDMOST, INCLUDING ACCUMULATION, LATERAL DOPING GRADIENT AND HIGH SIDE BEHAVIOUR
机译:
绝缘体上的紧凑型模型,包括累积,横向掺杂梯度和高侧行为
作者:
W Redman-White
;
M Swanenberg
;
J Benson
;
N DHalleweyn
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
35.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION of BONDED SOI LAYERS with Hg-CONTACT 'HORSESHOE' PROBES and InGa-CONTACT 'H-FET' STRUCTURES
机译:
用HG接触“马蹄形”探头和Inga接触“H-FET”结构的粘合SOI层的电气表征
作者:
St
;
Michael Current
;
Stephen Bedell
;
Harry Kirk
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
36.
SILICON ON NOTHING (SON) - FABRICATION, MATERIAL AND DEVICES
机译:
硅上没有(儿子) - 制造,材料和装置
作者:
Thomas Skotnicki
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
37.
ADVANCED RESURF CONCEPTS IN SOI DEVICES -OPTIMISATION AND FABRICATION
机译:
SOI设备的高级Resurf概念 - 优化和制造
作者:
F.
;
W. Milne
;
G. Khoo
;
R. Ng
;
H. T. Lim
;
D. Garner
;
K. Sheng
;
F. Udrea
;
A. Popescu
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
38.
CRYOGENIC OPERATION OF FULLY-DEPLETED SOI nFETs
机译:
完全耗尽的SOI NFET的低温操作
作者:
John
;
Jagdish Patel
;
Guofu Niu
;
John D. Cressler
;
Ying Li
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
39.
TRAPPING AND ANNEALING OF CHARGE GENERATED BY FN ELECTRON INJECTION IN BURIED OXIDE OF SIMOX AND UNIBOND SOI STRUCTURES.
机译:
SIMOX和UNIBONS SOI结构掩埋氧化物中FN电子注射产生的电荷捕获和退火。
作者:
A.S. Tkachenko
;
I.P. Barchuk
;
V.I. Kilchytska
;
A.N. Nazarov
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
40.
OBSERVATION OF BULK-TRAP INDUCED GENERATION-RECOMBINATION NOISE IN THE FULLY DEPLETED SOI MOSFET
机译:
在完全耗尽的SOI MOSFET中观察散装捕集诱导的产生 - 重组噪声
作者:
D S Ang
;
C H Ling
;
D S Ang
;
Z Lun
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
41.
RECENT ADVANCES IN SOS MATERIALS AND DEVICES
机译:
SOS材料和设备的最新进展
作者:
A. Yasujima
;
M. Matsui
;
Y. Moriyasu
;
T. Morishita
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
42.
EFFECT OF SiGe LAYER ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SGI-PDSOI MOSFETs
机译:
SiGe层对SGI-PDSOI MOSFET电特性的影响
作者:
G.
;
J. T. Moon
;
H. K. Kang
;
K. Fujihara
;
H. S. Kang
;
N. I. Lee
;
K. W. Lee
;
H. S. Rhee
;
S. S. Kim
;
G. J. Bae
;
T. H. Choe
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
43.
MODELING OF THE LEAKAGE DRAIN CURRENT IN ACCUMULATION-MODE SOI pMOSFETs FOR HIGH-TEMPERATURE APPLICATIONS
机译:
高温应用中累积模式SOI PMOSFET中漏漏电流的建模
作者:
B.
;
J. A. Martino
;
D. Flandre
;
B. Iniguez
;
M. Bellodi
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
44.
VOLUME PRODUCTION IN ELTRAN~(~R) SOI-Epi Wafer~(TM)s
机译:
Eltran〜(〜R)SOI-EPI晶片〜(TM)S中的体积产生
作者:
Takao Yonehara
;
Jun Nakayama
;
Hiroshi Isaji
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
45.
MOSFET BASED 'GATED-DIODE' CHARACTERIZATION OF THE BURIED OXIDE INTERFACE OF IRRADIATED AND NON-IRRADIATED SIMOX AND UNIBOND WAFERS
机译:
基于MOSFET的“门控二极管”表征辐照和非照射的SIMOX和UNIBOX晶片的掩埋氧化膜界面
作者:
S.T. Liu
;
William C. Jenkins
;
Reed K. Lawrence
;
Dimitris E. Ioannou
;
Akrarn Salman
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
46.
IMPROVEMENT OF SUB-0.25 μm FULLY-DEPLETED SOI CMOS ANALOG PERFORMANCE BY THINNING THE SI FILM
机译:
通过稀释Si薄膜改善Sub-0.25μm全耗尽的SOI CMOS模拟性能
作者:
V. De
;
D. Flandre
;
E. Rauly
;
B. Iniguez
;
V. Brodeoux
;
P. Delatte
;
V. Dessard
;
A. Neve
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
47.
THE BELPHI-SOI TECHNOLOGY
机译:
Belphi-SOI技术
作者:
L. B
;
A. Parisini
;
G. Lulli
;
S. Borini
;
A.M. Rossi
;
L. Boarino
;
G. Amato
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
48.
Silicon on nothing (SON) -fabrication, material and devices
机译:
硅上没有(儿子) - 特许,材料和设备
作者:
Thomas Skotnicki
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
49.
SINGLE ELECTRON TRANSISTORS AND OTHER NANODEVICES ON SOI
机译:
SOI上的单电子晶体管和其他纳米型
作者:
N
;
M. Saitoh
;
H. Ishikuro
;
N. Takahashi
;
T. Hiramoto
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
50.
VARIANTS ON BONDED SOI FOR ADVANCED ICS
机译:
用于高级IC的粘合SOI的变体
作者:
Professor H S Gamble
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
51.
THEORETICAL PREDICTION OF SWITCHING IN MOS/SOI TRANSISTOR WITH ULTRATHIN OXIDE
机译:
用超薄氧化物切换MS / SOI晶体管的理论预测
作者:
B. Majkusiak
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
52.
SILICON-ON-SAPPHIRE TECHNOLOGY: QUO VADIS II A COMPETITIVE ALTERNATIVE FOR RF SYSTEMS
机译:
Silicon-On-Sapphire技术:QUO VADIS II对RF系统的竞争替代品
作者:
P.
;
K.A. Jenkins
;
L. Perraud
;
P.M. Mooney
;
J.A. Ott
;
J.O. Chu
;
R. Hammond
;
S. J. Koester
;
P.R. de la Houssaye
;
I. Lagnado
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
53.
CHARGE INJECTION CHARACTERIZATION OF THIN-FILM SOI MOS TRANSISTORS AT HIGH TEMPERATURE
机译:
高温下薄膜SOI MOS晶体管的电荷注射特征
作者:
Denis Flandre
;
Laurent Demeus
;
Gonzalo Picun
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
54.
A SIMULATION STUDY OF PARTIALLY DEPLETED SOI MOSFETS
机译:
部分耗尽SOI MOSFET的仿真研究
作者:
H.
;
S. Selberherr
;
T. Grasser
;
H. Kosina
;
M. Gritsch
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
55.
SOI MATERIALS AND DEVICES: A DESIGNER VIEWPOINT
机译:
SOI材料和设备:设计师观点
作者:
Christophe R. Tretz
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
56.
PERFORMANCE OF DOUBLE-GATE SOI NMOSFETs AT LOW TEMPERATURE.
机译:
低温下双门SOI NMOSFET的性能。
作者:
D. Flandre
;
J.P. Colinge
;
S. Cristoloveanu
;
A. Vandooren
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
57.
SPECIAL FREQUENCY-DEPENDENT TRANSIENT MECHANISMS IN SOI MOSFETS MEASURED BY A NEW TECHNIQUE: THE AVERAGE TRANSIENT CURRENT
机译:
通过新技术测量的SOI MOSFET中的特殊频率相关的瞬态机制:平均瞬态电流
作者:
Sorin CRISTOLOVEANU
;
Jeremy PRETET
;
Frederic ALLIBERT
;
Samuel LAKEOU
;
Thomas ERNST
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
58.
CHANNEL WIDTH, LENGTH AND THICKNESS EFFECTS IN LOCOS-ISOLATED SOI MOSFETs
机译:
LOCOS-孤立的SOI MOSFET中的通道宽度,长度和厚度效果
作者:
S.
;
C. Raynaud
;
A. Zaslavsky
;
F. Allibert
;
S. Cristoloveanu
;
J. Pretet
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
59.
MEASUREMENTS OF LOW FIELD MOBILITY IN ULTRA-THIN SOI N- AND P-MOSFETs
机译:
超薄SOI和P-MOSFET中低场移动性的测量
作者:
E.Sangiorgi
;
L.Selmi
;
C.Fiegna
;
F.H.Baumann
;
G.K.Celler
;
D.Esseni
;
M. Mastrapasqua
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
60.
HIGH PERFORMANCE CURRENT MIRRORS USING GRADED-CHANNEL SOI NMOSFETS
机译:
使用分级通道SOI NMOSFET的高性能电流镜
作者:
D. Flandre
;
J. A. Martino
;
M. A. Pavanello
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
61.
A NEW FULLY-DEPLETED SOI MOSFET MACRO-MODEL VALID FROM DC TO RF
机译:
从DC到RF有效的新全耗尽的SOI MOSFET宏模型
作者:
J.
;
D. Flandre
;
D. Vanhoenacker
;
P. Simon
;
M. Goffioul
;
A. Neve
;
L. Demeus
;
J. P. Raskin
;
B. Iniguez
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
62.
ELECTROLYTIC HYDROGENATION OF BURIED PREAMORPHIZED LAYER IN SILICON FOR SOI WAFER PROCESS
机译:
用于SOI晶片过程中硅掩埋前芯层的电解氢化
作者:
W.N. Carr
;
W.N. Carr
;
A.Y. Usenko
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
63.
INFLUENCE OF THE BACK GATE BIAS ON THE PROPERTIES OF SOI LDMOSFETs
机译:
后栅偏置对SOI LDMOSFET性质的影响
作者:
E. Kolawa
;
M. Mojarradi
;
S. Cristoloveanu
;
A. Vandooren
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
64.
DETECTION OF SOI FATAL DEFECTS BY CU DECORATION IN CONJUNCTION WITH HF IMMERSION
机译:
Cu装饰与HF浸没的检测SOI致命缺陷
作者:
N.Hon
;
T.Yonehara
;
N.Honma
;
K.Notsu
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
65.
ION BEAM SYNTHESIS OF SiC ON INSULATOR STRUCTURES
机译:
绝缘结构SiC的离子束合成
作者:
A. P
;
W. Skorupa
;
R. Koegler
;
D. Panknin
;
M.C. Acero
;
J. Esteve
;
J.R. Morante
;
A. Romano-Rodriguez
;
A. Perez-Rodriguez
;
C. Serre
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
66.
From SOI to SOIM technology : Application for specific semiconductor processes
机译:
从SOI到SOIM技术:应用特定半导体过程
作者:
H.
;
B. Aspar
;
A. M. Cartier
;
I. Stoemenos
;
M. Olivier
;
H. Moriceau
;
O. Rayssac
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
67.
EXTRACTION OF THE OXIDE CHARGE DENSITY AT FRONT AND BACK INTERFACES OF SOI NMOSFET DEVICES
机译:
SOI NMOSFET器件前后界面的氧化物电荷密度提取
作者:
C. Claeys
;
E. Simoen
;
J. A. Martino
;
A. S. Nicolett
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
68.
MODFXING, SIMULATION AND DESIGN KIT FOR SOI
机译:
SOI的Modfxing,仿真和设计套件
作者:
J.L
;
Marc Belleville
;
J.L. Pelloie
;
O. Faynot
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
69.
ATOMIC-LAYER CLEAVING for SOI WAFER FABRICATION
机译:
用于SOI晶片制造的原子层切割
作者:
F.J. Henley
;
S.N. Farrens
;
M. Fang
;
H.R. Kirk
;
S. Kang
;
M. Korolik
;
M. Fuerfanger
;
I..T. Malik
;
M.I. Current
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
70.
REDUCTION OF DYNAMIC LEAKAGE CURRENT FOR 0.18μm SOI DEVICES BY USING RETROGRADED CHANNEL STRUCTURE
机译:
通过使用杂交的通道结构减少0.18μm的SOI器件的动态漏电流
作者:
B.
;
K. P. Suh
;
Y. W. Kim
;
J. H. Jin
;
B. S. Kim
;
H. S. Kang
会议名称:
《International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices》
|
2001年
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