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机译:薄栅氧化物全耗尽SOI n-MOSFET中性能下降的辐射源依赖性
Kumamoto National College of Technology, 2569-2 Nishigoshi, Kumamoto 861-1102, Japan;
机译:7.5 MeV质子辐照对超薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的电性能和浮体效应的降解
机译:2-MeV电子辐照在薄栅氧化物PD-SOI MOSFET中背栅退化的剂量率依赖性
机译:完全耗尽的超薄SOI p-MOSFET的埋入氧化物电荷陷阱导致性能下降
机译:F-N应力测试后,栅二极管R-G电流与SOI n-MOSFET性能下降之间的相关性
机译:用非常薄的栅极氧化物制成的MOSFET的性能下降。
机译:耐辐射的虚拟栅极辅助n-MOSFET布局的长宽比模型
机译:具有软X射线辐射的薄型全耗尽sOI像素传感器的表征