Micro crystalline Si; Heterojunction; CVD based deposition;
机译:在低温(300℃)化学气相沉积工艺中采用氢等离子体和硅自由基的新型双注入系统沉积微晶/非晶硅薄膜
机译:交替沉积硅和氢等离子体处理制备的非晶态和微晶态硅薄膜的生长的实时光谱分析
机译:通过气射等离子体化学方法沉积硅的无定形和微晶膜
机译:无定形自由微晶硅膜的等离子体沉积比20nm更薄
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:氧化硅膜在氧化硅膜中微晶硅膜的化学气相沉积中界面非晶层去除氢等离子体的影响
机译:硅烷等离子体中siH浓度对非晶硅薄膜沉积的衬底温度依赖性