机译:氧化硅膜在氧化硅膜中微晶硅膜的化学气相沉积中界面非晶层去除氢等离子体的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积微晶氧化硅的开发,以替代非晶硅单结太阳能电池中的N型或背面透明导电氧化物层
机译:在低温(300℃)化学气相沉积工艺中采用氢等离子体和硅自由基的新型双注入系统沉积微晶/非晶硅薄膜
机译:射频等离子体化学气相沉积沉积的氢化微晶硅碳合金的结构特性:微晶硅籽晶层和甲烷流速的影响
机译:极高频等离子体增强化学气相沉积对沉积压力对微晶硅膜表面粗糙度定标的影响
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:等离子体增强化学气相沉积中薄膜硅逐层生长的原因
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积生长保形氢化非晶硅层的有效钝化黑色硅表面
机译:通过光CVD(化学/气相沉积)和辉光放电制备的微晶硅 - 碳p层的研究:最终转包报告,1987年12月1日 - 1988年11月30日。