机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的80Gb / s多路复用器IC
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的80Gb / s多路复用器IC
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的70-Gbit / s多路复用器和50-Gbit / s决策IC模块
机译:使用InAlAs / InGaAs / InP HEMT的80Gb / s多路复用器IC
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”