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Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
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1.
Ka- and W-band MMICs on microwave and millimeterwave device arrays (MMDA) using 0.1 /spl mu/m T-gate PHEMT
机译:
微波和MMIC和毫米波仪器阵列(MMDA)的KA-和W波段MMIC使用0.1 / SPL MU / M T型栅极PHEMT
作者:
Mondal J.
;
Dietz G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
2.
Is SiGe the future of GaAs for RF applications?
机译:
Sige是RF应用的GaAs的未来吗?
作者:
Moniz J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
3.
Linearity requirements for digital wireless communications
机译:
数字无线通信的线性度要求
作者:
Seng-Woon Chen
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
4.
A monolithic 4 bit 2 GSps resonant tunneling analog-to-digital converter
机译:
单片4位2 GSP谐振隧道模数转换器
作者:
Broekaert T.P.E.
;
Brar B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
5.
A 600 GHz planar frequency multiplier feed on a silicon dielectric-filled parabola
机译:
硅介质填充抛物线上的600 GHz平面倍频器馈送
作者:
Kim M.
;
Fujiwara B.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
6.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
7.
Bandpass delta-sigma modulator with 800 MHz center frequency
机译:
带通Δ-Sigma调制器,中心频率为800 MHz
作者:
Jayaraman A.
;
Asbeck P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
8.
Superconductive electronics-a high speed and low power technology complementing III-V technologies for advanced systems
机译:
超导电子产品 - 一种高速和低功率技术补充III-V技术为先进系统
作者:
Leung M.
;
Spargo J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
9.
Radiation hardened complementary GaAs(CGaAs/sup TM/)
机译:
辐射硬化互补GaAs(CGAAS / SUP TM /)
作者:
LaMacchla M.
;
Abrokwah J.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
10.
Production and commercial insertion of InP HBT integrated circuits
机译:
INP HBT集成电路的生产和商业插入
作者:
Streit D.C.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
11.
GaAs technology rides the wireless wave
机译:
GaAs技术骑行无线波浪
作者:
Lum E.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
12.
GaAs in the broadband infrastructure
机译:
GaAs在宽带基础设施中
作者:
Jakobsen J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
13.
A InP DHBT technology for high bit-rate optical communications circuits
机译:
用于高比特率光通信电路的INP DHBT技术
作者:
Godin J.
;
Andre P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
14.
A high efficiency normally-off MODFET power MMIC for PHS operating under 3.0 V single-supply condition
机译:
高效常关MODFET MUMIC用于在3.0 V单电源条件下运行的PHS
作者:
Kunihisha T.
;
Yokoyama T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
15.
Development of high performance analog-to-digital converters for defense applications
机译:
用于防御应用的高性能模数转换器的开发
作者:
Murphy J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
16.
Bidirectional analog 8/spl times/8 switch matrix with large input signal and over 1 GHz bandwidth
机译:
双向模拟8 / SPL时间/ 8交换矩阵,具有大输入信号和超过1 GHz带宽
作者:
Sokolowska E.
;
Fortin G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
17.
5 GHz /spl Sigma//spl Delta/ analog-to-digital converter with polarity alternating feedback comparator
机译:
5 GHz / SPL SIGMA // SPL DELTA /模拟到数字转换器,具有极性交流反馈比较器
作者:
Miyashita T.
;
Olmos A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
18.
An ultra-low-power-consumption high-speed GaAs 256/258 dual-modulus prescaler IC
机译:
超低功耗高速GAAs 256/258双模量预分频器IC
作者:
Maeda T.
;
Wada S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
19.
W-CDMA: An approach toward next generation mobile radio system, IMT-2000
机译:
W-CDMA:对下一代移动无线电系统的方法,IMT-2000
作者:
Furuya Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
20.
50-GHz bandwidth base-band amplifiers using GaAs-based HBTs
机译:
使用基于GaAs的HBT的50-GHz带宽基带放大器
作者:
Suzuki Y.
;
Shimawaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
21.
A high speed and high precision 64/spl times/33 crosspoint switch IC
机译:
高速高精度64 / SPL时/ 33交叉开关IC
作者:
Savara R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
22.
A 10 Gb/s 12/spl times/12 cross-point switch implemented with AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
10 GB / S 12 / SPL时间/ 12交叉点开关,用AlgaAs / GaAs异质结双极晶体管实现
作者:
Metzger A.
;
Chang C.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
23.
Influence of T-gate shape and footprint length on PHEMT high frequency performance
机译:
T型栅极形状和足迹长度对PHEMT高频性能的影响
作者:
Brech H.
;
Grave T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
24.
Device technology of InP/InGaAs HBTs for 40-Gb/s optical transmission application
机译:
用于40 GB / S光传输应用的INP / INGAAS HBT的器件技术
作者:
Masuda H.
;
Ouchi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
25.
Tunable high-Q MMIC active filter by negative resistance compensation
机译:
通过负电阻补偿可调高Q MMIC主动滤波器
作者:
Hann-Haur Wu
;
Yi-Jen Chan
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
26.
An InP HBT low power receiver IC integrating AGC amplifier, clock recovery circuit and demultiplexers
机译:
INP HBT低功耗接收器IC集成AGC放大器,时钟恢复电路和多路分解器
作者:
Yung M.
;
Jensen J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
27.
GaAs ICs for 10 Gb/s ATM switching
机译:
GAAS IC 10 GB / S ATM切换
作者:
Nunez A.
;
Sarmiento R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
28.
Effects of electrostatic discharge on GaAs-based HBTs
机译:
静电放电对基于GaAs的Hbts的影响
作者:
Henderson T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
29.
0.15 micron gate AlInAs/GaInAs MHEMT fabricated on GaAs using deep-UV phase-shifting mask lithography
机译:
使用深紫色相移掩模光刻在GaAs上制造0.15微米栅极/ Gainas MHEMT
作者:
Wang J.G.
;
Hur K.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
30.
A 1 GS/s, 11-b track-and-hold amplifier with 0.1 dB gain loss
机译:
具有> 0.1 dB增益损耗的1 GS / S,11-B轨道和保持放大器
作者:
Yu R.
;
Sheng N.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
31.
A 2 W, 62 PAE, small chip size HBT MMIC for 3 V PCN applications
机译:
2 W,62%PAE,小芯片尺寸HBT MMIC用于3 V PCN应用
作者:
Mueller J.-E.
;
Baureis P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
32.
Parallel optical links for gigabyte/s data communication
机译:
用于千兆字节/秒的数据通信的并行光链路
作者:
Yuen A.
;
Giboney K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
33.
A 5.5 GHz fractional frequency-synthesizer IC
机译:
5.5 GHz分数频率合成器IC
作者:
Diorio C.
;
Humes T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
34.
High speed AlGaAs/GaAs HBT circuits for up to 40 Gb/s optical communication
机译:
高速ALGAAS / GAAS HBT电路可用于高达40 GB / S光通信
作者:
Runge K.
;
Zampardi P.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
35.
Long wavelength MSM-HEMT and PIN-HEMT photoreceivers grown on GaAs
机译:
在GaAs上生长的长波长MSM-HEMT和PIN-HEMT光剖形
作者:
Hurm V.
;
Benz W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
36.
A low distortion and high efficiency HBT MMIC power amplifier with a novel linearization technique for /spl pi//4 DPSK modulation
机译:
具有用于/ SPL PI // 4 DPSK调制的新型线性化技术的低失真和高效HBT MMIC功率放大器
作者:
Yoshimasu T.
;
Akagi M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
37.
AlGaAs/GaAs HBT reliability: dependence on material and correlation to baseband noise
机译:
AlGaAs / GaAs HBT可靠性:依赖材料和与基带噪声的相关性
作者:
Bayraktaroglu B.
;
Dix G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
38.
An 80-Gbit/s multiplexer IC using InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
机译:
使用Inalas / InGaAs / InP HEMTS的80-Gbit / s多路复用器IC
作者:
Otsuji T.
;
Murata K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
39.
A 0.1-/spl mu/m double-deck-shaped gate HJFET with reduced gate-fringing-capacitance for ultra-high-speed ICs
机译:
用于超高速IC的栅极 - 流电容减少0.1- / SPL MU / M双层栅极HJFET
作者:
Wada S.
;
Yamazaki J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
40.
High power modulator driver ICs up to 30 Gb/s with AlGaAs/GaAs HEMTs
机译:
高功率调制器驱动器IC高达30 GB / s,带ALGAAS / GAAS HEMTS
作者:
Lao Z.
;
Thiede A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
41.
GaAs MEMS design using 0.2 /spl mu/m HEMT MMIC technology
机译:
GaAs MEMS设计使用0.2 / SPL MU / M HEMT MMIC技术
作者:
Ribas R.P.
;
Bennouri N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
42.
Super-small and low-power front-end HIC using MBB technology for 1.9 GHz bands
机译:
使用MBB技术为1.9 GHz频段的超小型和低功耗前端HIC
作者:
Nakatsuka T.
;
Itoh J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
43.
A packaged 3 GHz timing interface unit for a laser altimeter system
机译:
用于激光高度计系统的包装3 GHz定时接口单元
作者:
Jani D.B.
;
Chang C.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
44.
A high performance GaAs MMIC upconverter with an automatic gain control amplifier
机译:
具有自动增益控制放大器的高性能GaAs MMIC上变频器
作者:
Huainan Ma
;
Sher Jiun Fang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
45.
Single low voltage supply operation GaAs power MESFET amplifier with low-distortion gain-variable attenuator for 1.9-GHz personal handy phone systems
机译:
单个低压供应操作GAAS电源MESFET放大器,具有低失真增益可变衰减器,适用于1.9-GHz个人方便电话系统
作者:
Nagaoka M.
;
Wakimoto H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
46.
Low power components for 1 Gb/s optical communications: A single-chip 10-channel optical receiver and a clock recovery circuit
机译:
低功耗组件为1 GB / S光通信:单芯片10通道光接收器和时钟恢复电路
作者:
Hickling R.M.
;
Kot R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
47.
Millimeter-wave HBT MMIC synthesizers using subharmonically injection-locked oscillators
机译:
毫米波HBT MMIC合成器使用次源注射锁定振荡器
作者:
Suematsu E.
;
Yagura M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
48.
Low-power-consumption 10-Gbps GaAs 8:1 multiplexer/1:8 demultiplexer
机译:
低功耗10-GBPS GAA 8:1多路复用器/ 1:8解复用器
作者:
Yoshida N.
;
Fujii M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
49.
GaAs MMICs for cellular broadband wireless infrastructure: a system perspective
机译:
GAAS MMIC用于蜂窝宽带无线基础设施:系统透视
作者:
Buck C.M.
;
Lombardelli P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
50.
Design of the Tera MTA integrated circuits
机译:
TEA MTA集成电路的设计
作者:
Howard M.
;
Kopser A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
51.
Resonant tunneling circuit technology: has it arrived?
机译:
谐振隧道电路技术:它到了吗?
作者:
Seabaugh A.
;
Brar B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
52.
Prediction of HBT ACPR using the Gummel Poon large signal model
机译:
使用Gummel Poon大信号模型预测HBT ACPR
作者:
Teeter D.A.
;
Bouthillette S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
53.
Degradation effects induced by hot carrier and high channel temperature in pseudomorphic GaAs millimeter wave power HEMT's
机译:
热载波和高通道温度诱导的降解效应伪图GaAs毫米波功率HEMT
作者:
Chou Y.C.
;
Li G.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
54.
III-V compound semiconductor MOSFETs using Ga/sub 2/O/sub 3/(Gd/sub 2/O/sub 3/) as gate dielectric
机译:
III-V复合半导体MOSFET使用GA / SUS 2 / O / SUB 3 /(GD / SUB 2 / SU / SUB 3 /)作为栅极电介质
作者:
Ren F.
;
Hong M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
55.
Sub-1.3 dB noise figure direct-coupled MMIC LNAs using a high current-gain 1-/spl mu/m GaAs HBT technology
机译:
SUB-1.3 DB噪声系数使用高电流增益1- / SPL MU / M GaAs HBT技术直接耦合MMIC LNA
作者:
Kobayashi K.W.
;
Tran L.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
56.
Conductance DLTS analysis of the correlation between power slump and gate lag
机译:
电源坍塌与闸门滞后之间的相关性进行DLTS分析
作者:
Leoni R.E. III
;
Bao J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
57.
Noise reduction of pHEMTs with plasmaless SiN passivation by catalytic CVD
机译:
催化CVD具有Plasmaless SIN钝化的PHEMTS降噪
作者:
Hattori R.
;
Nakamura G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
58.
A 77 GHz T/R MMIC chip set for automotive radar systems
机译:
用于汽车雷达系统的77 GHz T / R MMIC芯片组
作者:
Kamozaki K.
;
Kurita N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
59.
Device and process optimization for a low voltage enhancement mode power heterojunction FET for portable applications
机译:
用于便携式应用的低电压增强型电源异质结FET的设备和过程优化
作者:
Huang J.H.
;
Glass E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
60.
CMOS RF: no longer an oxymoron
机译:
CMOS RF:不再是矛盾
作者:
Lee T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
61.
Packaging for wireless technology
机译:
无线技术包装
作者:
Monthei D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1997年
62.
High-performance 19 GHz-band GaAs FET switches using LOXI (Layered-Oxide-Isolation)-MESFETs
机译:
高性能19 GHz带GaAs FET开关,使用LOXI(层状氧化物隔离)-mesfets
作者:
Kanda A.
;
Kodama S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
63.
InP/InGaAs HBT ICs for 40 Gbit/s optical transmission systems
机译:
40 Gbit / S光传输系统的INP / Ingaas HBT IC
作者:
Suzuki H.
;
Watanabe K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
64.
A 1.4 watt Q-band GaAs PHEMT MMIC
机译:
1.4瓦Q频段GaAs Phemt MMIC
作者:
Nash S.J.
;
Platzker A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
65.
Substrate-induced gate lag in ion-implanted GaAs MESFETs
机译:
离子植入的GaAs Mesfet中的基板诱导的栅极滞后
作者:
Bao J.W.
;
Du X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
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1997年
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