机译:30 GHz静态分频器,采用0.2 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术
机译:使用0.2 / spl mu / m AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态HEMT技术开发单片V波段变频器芯片组
机译:采用基于GaAs的0.1- / spl mu / m栅极GaAs HEMT MMIC生产工艺技术的94-GHz单片平衡功率放大器
机译:使用0.2 / spl mu / m HEMT MMIC技术的GaAs MEMS设计
机译:使用氮化铝镓/氮化镓HEMT技术的非线性MMIC设计。
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:共面波导技术中的67 GHz 0.3 um AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT单片放大器的设计和表征