机译:使用一个掩模通过多次自对准工艺制造的具有GaInAs盖层的AlGaAs / GaAs HBT
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上制备150nm T-Gate变质AlInAs / GaInAs HEMTs
机译:通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上制备160 nm T栅极变质AlInAs / GaInAs HEMT
机译:使用深紫外相移掩模光刻在GaAs上制造0.15微米栅极AlInAs / GaInAs MHEMT
机译:用于相移掩模设计的广义逆光刻方法。
机译:无光刻技术制备的自催化GaAs纳米线均匀集合体的结构研究
机译:电子束光刻的基于200nm的基于GaAs的MHEMT器件
机译:在0.2μm栅极长度alInas / Gainas / Inp调制掺杂场效应晶体管中的扭结效应的直流和射频测量。