ultra-thin photoresist; 193nm lithography; line edge roughness(LER); photo acid generator(PAG);
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:在设计和开发高性能193nm光致抗蚀剂聚合物中探索酸性功能
机译:高分辨率光刻胶的设计:使用现代NMR技术评估光刻性能
机译:193nm光刻胶中光刻性能的厚度依赖性
机译:具有光刻工艺的基于光阻的聚合物谐振器天线(PRA)和具有改进性能的介电谐振器天线(DRA)。
机译:芳基环氧热固性树脂的光刻性能作为微光学的阴性光致抗蚀剂
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。