Material Technology Group, Memory Division, Semiconductor Business, Samsung Electronics Co., Ltd.;
San #16 Banwol-Ri, Taean-Eup, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea, 445-701;
ultra-thin photoresist; 193nm lithography; line edge roughness (LER); depth of focus (DOF); photo acid generator (PAG);
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:在设计和开发高性能193nm光致抗蚀剂聚合物中探索酸性功能
机译:高分辨率光刻胶的设计:使用现代NMR技术评估光刻性能
机译:193NM光致抗蚀剂在图中的光刻性能的厚度依赖性
机译:具有光刻工艺的基于光阻的聚合物谐振器天线(PRA)和具有改进性能的介电谐振器天线(DRA)。
机译:芳基环氧热固性树脂的光刻性能作为微光学的阴性光致抗蚀剂
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。