ball grid arrays; copper; electroplating; integrated circuit interconnections; silicon; wafer level packaging; Cu; LSI package; Si; fabrication process; microbump interconnect; multilayer plating interconnect; multilayer wiring; print board; silicon interposer BGA pac;
机译:硅中介层BGA封装,具有铜填充硅通孔和通过电镀制成的多层再分布层
机译:具有TSV的硅中介层封装制造过程中的变形预测
机译:具有与硅中的TSV相同间距的直通封装的超薄3-D玻璃中介层的设计,制造和表征
机译:具有填充铜的TSV和多层镀铜互连的硅中介层BGA封装
机译:MEMS传感器封装和TSV中介层封装的应力和变形最小。
机译:高电阻Si插入器的RF冗余TSV互连
机译:铜填充硅通孔(TSV)热循环过程中的界面效应