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一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法

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一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法，属于电子信息技术领域。用压头向下对实验试样中硅通孔中的铜柱进行挤压，同时记录压头向下作用时的位移和压力F，获得压力F和位移曲线，得到压力F下降时的门槛值，并将压力F的门槛值代入压力和界面切应力转换公式中，便得到镀铜工艺制作的硅通孔结构TSV-Cu中铜和硅界面处发生滑移时的切应力门槛值τ

著录项

公开/公告号CN102818765B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-11

原文格式PDF
申请/专利权人北京工业大学;
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申请/专利号CN201210310455.4
发明设计人秦飞;武伟;安彤;夏国峰;刘程艳;于大全;万里兮;
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申请日2012-08-28
分类号
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人魏聿珠
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 09:19:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 19/00 授权公告日:20140611 终止日期:20140828 申请日:20120828

专利权的终止
2014-06-11

授权

授权
2013-01-30

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 19/00 申请日:20120828

实质审查的生效
2012-12-12

公开

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1. 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力的测试方法 [P] . 中国专利： CN102818765B . 2014.06.11
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