机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的InGaP / InGaAsP / GaAs 0.808 / splμ/ m分离限制激光二极管
机译:气体源分子束外延生长的低阈值,压缩应变的InAsP / InGaAsP和应变补偿的InAsP / InGaP 1.3 / splμ/ m激光器
机译:气体源分子束外延生长的低阈值电流1.3 / spl mu / m InAsP / InGaAsP激光器
机译:通过化学束外延生长的1.5 / spl mu / InGaAs / InGaAsP分离禁闭多量子阱激光器
机译:InGaASP-INP多量子孔激光器的功率和光谱表征
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器