1.52μm InGaAsP/InP分别限制量子阱激光器

陈松岩; 李玉东; 刘式墉; 张玉贤

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1.52μm InGaAsP/InP分别限制量子阱激光器

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报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60μm和1.3μm InGaAsP材料,以及在其分别限制量子阱结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器.该激光器在室温下直流阈值电流为100mA.

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来源
《高技术通讯》 |1995年第10期|35-37|共3页
作者
陈松岩; 李玉东; 刘式墉; 张玉贤;
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作者单位

集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;

集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;

集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;

集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
分别限制量子阱激光器; 低压金属有机气相外延; 阈值电流;

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