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陈松岩; 刘宝林; 黄美纯; 彭宇恒; 刘式墉;
厦门大学;
集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区;
多量子阱激光器; 载流子注入效率; 激光器结构;
机译:具有InGaAs / InP超晶格光学限制层和阻挡层的长波长量子阱激光器
机译:室温下InGaAs / InP多量子阱激光器中俄歇复合的带隙依赖性实验确定
机译:压缩和拉伸应变对InP-InGaAs多量子阱激光器性能影响的理论和实验研究
机译:直接在硅上生长的室温InGaAs / InP纳米阱量子阱激光器
机译:改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:有机金属气相外延生长的应变层InGaas(p)/ Inp量子阱半导体激光器
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
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