二硫化レニウム結晶を用いた横方向ダイオードの作製

摘要

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDCs)は一層の厚さが原子 3 個分ほどの極薄の層状構造を持ち，その中でも二硫化レニウム(ReS_2)は平行四辺形の単位構造を取り，面内の電流が特定の方向に制限される特性を持ち，歪を導入することで面内キャリア移動度は4,000 cm~2/V sまで増加することが予測されている[1]。またバンドギャップエネルギーEgの膜厚依存性が低い。これらの特徴を活かした素子の実現により，ナノエレクトロニクスやナノフォトニクス分野での活躍が期待される。本報告では，硫化法により作製したReS2の横方向ダイオードを作製した。