一种制备Au/n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N横向肖特基二极管的方法

摘要

用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ。器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W。