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公开/公告号CN109650883B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉理工大学;
申请/专利号CN201910041090.1
发明设计人 徐庆;冯超;黄端平;解肖斌;张枫;占迪;
申请日2019-01-16
分类号C04B35/49(20060101);
代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人崔友明
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2022-08-23 12:21:54
机译: 陶瓷电容器的电介质为(Pb,La)(Zr,Ti)O.3和BaTiO。 3款
机译: 陶瓷电容器具有(Pb,La)(Zr,Ti)O.sub.3的含铋的银掺杂电介质
机译: 具有(Pb,La)(Zr,Ti)O的银掺杂电介质的陶瓷电容器。子3和玻璃
机译:Ba0.95Ca0.05Zr0.3Ti0.7O3陶瓷的储能利用的介电非线性和电击穿行为
机译:0.5bazr(0.2)Ti(0.8)O(3) - (0.5-x)Ba0.7ca0.3tio3-xba(0.7)Sr(0.3)TiO(3)无铅陶瓷(0.2)Ti(0.2)Ti(0.2)Ti(0.2)Ti(0.2) - (0.8)o(0.2) - (0.5×) - (0.3) - (0.3)TiO(3)无铅陶瓷
机译:(Pb0.858Ba0.1La0.02Y0.008)(Zr0.65Sn0.3Ti0.05)O-3-(Pb0.97La0.02)(Zr0.9Sn0.05Ti0.05)O-3抗储能性能增强等离子烧结制备铁电复合陶瓷
机译:抛光对铁电性能的影响和0.7ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3-0.3(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3无铅陶瓷
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:在0.7Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-0.3PbTiO3衬底上的PbZr0.95Ti0.05O3薄膜中的应变辅助电热效应
机译:在0.7pb(Mg1 / 3nb2 / 3)O 3 -0.3pbtio3基材上的PBZR0.95Ti0.05O3薄膜中辅助电热效应
机译:pb(Zr(0.95)Ti(0.05))O(3)基陶瓷的压力诱导相变:晶粒尺寸依赖性;美国陶瓷学会学报