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レーザーアニール法による低温多結晶Si薄膜の表面平坦化及びトランジスタの作製と評価

机译:激光退火对低温多晶硅薄膜的表面平坦化以及晶体管的制造和评估

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摘要

フラットパネルディスプレイ薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル材料として用いられているLow Temperature poly-Si(LTPS)薄膜はExcimer Laser Annealing(ELA)法により結晶化されている.しかしながら,ELA法でSiを結晶化させると結晶粒界で突起が形成されることが報告されている.この突起により,トランジスタに電圧をかけると電流がリークし,ゲート絶縁膜が破壊されることでトランジスタの不良を起こすことが知られている.
机译:通过准分子激光退火(ELA)方法使用作平板显示薄膜晶体管(TFT)的沟道材料的低温多晶硅(LTPS)薄膜结晶。然而,据报道,当通过ELA方法使Si结晶时,在晶界处形成突起。众所周知,当由于该突起而向晶体管施加电压时,电流泄漏并且栅极绝缘膜被破坏,从而导致晶体管故障。

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