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声明及长春光学精密机械与物理研究所博士学位论文原创性声明
1引言
2多晶硅薄膜材料的低温制备
3金属诱导晶化非晶硅薄膜的机理和模型
4 Poly-Si TFTs的电学特性与模型
5基于LTPS TFT的AMOLED象素与周边集成设计与仿真
6总结
附录
致谢
黄金英;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
薄膜晶体管; 多晶硅薄膜; 金属诱导晶化法; 紫外辅助晶化法; 集成一体化;
机译:具有自对准渐变轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制作
机译:以薄膜多晶硅为沟道的玻璃上自匹配金属双栅低温多晶硅薄膜晶体管的特性
机译:高分辨率多晶硅薄膜晶体管对低温多晶硅薄膜晶体管可靠性的分析
机译:氢化非晶硅和低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器制造的技术和成本建模。
机译:使用H2烧结改善低温多晶硅薄膜晶体管传感器的pH敏感性
机译:晶界突出对低温多晶硅薄膜晶体管电性能的影响
机译:先进显示技术中的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:薄膜晶体管阵列基板,低温多晶硅薄膜晶体管以及制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法
机译:薄膜晶体管阵列基板的制造方法,低温多晶硅薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管
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