CMOSプロセス加工Si プラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si 直接接合へのSi 側ダミーパターンの影響

摘要

シリコンフォトニクス技術を用いた大規模集積回路の実現に向け、InP 系材料をSi ウェハ上にハイブリッド集積するための直接接合技術が検討されてきた[1]。一方、シリコンフォトニクス作製で利用されるCMOS プロセスラインにおいては、ローディング効果の影響を排除し均一性の良いエッチングを実現するために、ダミーパターンが全面に形成される。今回、ダミーパターンによって接合にどのような影響が及ぼされるかを評価したのでご報告する。