Gate oxide reliability; Near-interface traps; Silicon Carbide MOSFET; Threshold voltage instability;
机译:市售SiC MOSFET的阈值电压偏置温度不稳定性
机译:卓越的短路性能为1.2kV SIC JBSFET与1.2kV SIC MOSFET相比
机译:正偏置温度应力下现有SiC功率MOSFET的阈值电压不稳定性
机译:1.2kV SiC功率MOSFET的重复短路能量依赖性
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:商业1.2 kV 4H-SIC电源MOSFET的时间依赖性介电击穿