Single electron transistor; Atomic layer deposition; Silicon nitride; Random telegraph signal; Single charged defects;
机译:纳米级单电子晶体管制造的新方法:电子束诱导的Pt沉积和隧道势垒的原子层沉积
机译:通过原子层沉积制成的具有隧道势垒的铂单电子晶体管
机译:通过原子层沉积制备的具有隧道势垒的金属-绝缘体-金属单电子晶体管
机译:用原子层沉积制备的氮化硅隧道屏障具有单电子晶体管
机译:用于直接板衬和铜扩散阻挡层应用的钌-氮化钛混合相层的等离子体增强原子层沉积。
机译:通过原子层δ掺杂和沉积制备具有金属超薄TiN基沟道的室温场效应晶体管
机译:具有隧道势垒的金属绝缘子 - 金属单电子晶体管由原子层沉积制备
机译:用于金纳米粒子选择性沉积的二氧化硅基板的化学图案化及单电子晶体管的制作