EUVL; Extreme Ultraviolet Lithography; interference lithography; photoresist; chemically amplified resist; CAR; RLS; line-edge roughness; LER; pattern collapse;
机译:在极端紫外光刻中达到10 nm半间距:抗蚀剂筛选和图案塌陷缓解技术的结果
机译:Sub-10 NM EUV光刻中的图案塌陷剪裁聚合物微观结构:多尺度模拟研究
机译:通过酸扩散常数和/或可光分解的淬灭剂浓度,在使用极紫外光刻技术制造11 nm半间距线间距图形中,进行抗蚀剂图像质量控制
机译:在EUV光刻中迈出了10纳米的半场:抗蚀剂筛选和图案倒塌减缓技术的结果
机译:用于EUV光刻的液滴激光等离子体源的碎片表征和缓解。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:用于EUV光刻的负色度化学放大分子抗蚀剂平台的11nm半间距分辨率