公开/公告号CN110856451A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-28
原文格式PDF
申请/专利权人 三菱瓦斯化学株式会社;
申请/专利号CN201880042266.9
申请日2018-06-25
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 07:21:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/004 申请日:20180625
实质审查的生效
2020-02-28
公开
公开
机译: 成膜材料,用于光刻的成膜组合物,光学部件形成材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,用于抗蚀剂的永久膜,辐射敏感性组合物,非晶膜的制造方法,用于光刻的下层膜形成材料,用于光刻的下层成膜组合物,用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法
机译: 化合物,其制造方法,组成,光学部件形成用组合物,光刻用膜形成用组合物,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,放射线敏感性组合物,非晶膜的制造方法,光刻用下层,成膜材料,形成用组合物用于光刻的底层膜,用于光刻的底层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和纯化方法
机译: 膜形成材料,用于光刻的膜形成组合物,用于光学成分形成的材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,用于抗蚀剂的永久膜,辐射敏感组合物,用于制造非晶膜,膜的材料,基底膜用于光刻的底层膜形成,用于光刻的底层膜的制造方法以及电路图案形成方法