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Mark Slezak; Ramakrishnan Ayothi; Zhi Liu;
JSR Micro Inc.;
机译:用193nm浸没式光刻成像干涉光刻和偶极子照明对45nm半节距节点进行仿真
机译:通过使用负性显影光刻和蚀刻光刻图案,实现具有自对准的56 nm节距的铜双大马士革互连
机译:具有193nm干光刻和双图案的45nm和32nm半间距图案
机译:双波段四分之一波长和半波长微带传输线设计。
机译:通过纳米球光刻实现波长可调的InGaN / GaN纳米环LED
机译:使用模拟比较65和45nm半间距的各种光刻策略
机译:深亚波长光学纳米光刻。
机译:用于扩展点焊范围的节距点焊枪的节距改变装置,具有节距改变装置的节距系列点焊枪以及使用该点焊枪的焊接方法
机译:使用干式或浸没式光刻技术和取消Poizoningu光刻胶,使用45nm huichiyasaizu破坏光致抗蚀剂材料
机译:适用于45NM节点或更大的NAND闪存应用的高介电常数截止介电带隙工程化的氧化硅-氮化物-氧化物-半电子和金属氧化物-氮化物-氧化物-半电子
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