机译:用于65nm CMOS工艺的差分LNA的嵌入式SCR ESD保护二极管设计
机译:采用65nm CMOS工艺的电感触发SCR的60GHz LNA的ESD保护设计
机译:适用于65nm CMOS工艺的千兆赫功率放大器的大摆幅ESD保护电路
机译:65-NM CMOS工艺中Gigahertz差分LNA的ESD保护设计
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用嵌入式sCR的EsD保护二极管设计,用于65nm CmOs工艺中的差分LNa