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机译:用于65nm CMOS工艺的差分LNA的嵌入式SCR ESD保护二极管设计
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan;
CMOS process; Clamps; Electrostatic discharges; Radio frequency; Robustness; Stress; Thyristors; Differential low-noise amplifier (LNA); RF; diode; electrostatic discharge (ESD); silicon-controlled rectifier (SCR);
机译:采用65nm CMOS工艺的电感触发SCR的60GHz LNA的ESD保护设计
机译:适用于65nm CMOS工艺的40Gb / s收发器的可靠ESD保护设计
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机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
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