MOSFETs; NBTI; SiC; magnetic resonance;
机译:令人惊讶的结果:4H-SiC MOSFET的负偏置不稳定性中存在“大量” SiC缺陷
机译:在4H-SiC MOSFET中的负偏置温度不稳定性(NBTI)的退火依赖性
机译:4H-SiC PMOSFET中的界面缺陷和负偏置温度不稳定性-结合DCIV / SDR研究
机译:4H-SIC MOSFET中的负面偏置不稳定性:SIC中结构变化的证据
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:用非弛豫方法精确表征4H-siC mOsFET的阈值电压不稳定性