III-V semiconductors; field effect transistor switches; gallium compounds; power semiconductor switches; silicon compounds; wide band gap semiconductors; GaN; GaN power switches; IGBT; Si SJ MOSFET; SiC; dynamic losses; gallium nitride; silicon carbide; static losses; super junction MOSFET; temperature dependencies; voltage 600 V to 1700 V; Gallium nitride; Insulated gate bipolar transistors; Junctions; Silicon; Silicon carbide; Switches; Switching loss;
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