Annealing; Degradation; HighKdielectricmaterials; Lasers; Logicgates; Reliability; Stress; LSA; NBTI; epi-SiGe; superactivation;
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机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:采用28 nm CMOS技术的LaOx封顶的高K /金属栅NMOSFET中的平坦带滚降行为的建模和表征
机译:工艺诱导的高k /金属栅极深亚微米CMOS的NBTI - 不平衡
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
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机译:深亚微米体CmOs中谐振CmOs光子调制器的高速调制