EUV; mask; surface roughness; PSD; Monte Carlo simulation;
机译:EUV光刻中掩模线粗糙度的贡献
机译:使用航空和SEM图像分析评估EUV掩模对晶圆线宽粗糙度的影响
机译:链接EUV光刻线边缘粗糙度和16 nm NAND存储器性能
机译:EUV掩模粗糙度对光刻性能的影响
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:了解EUV掩模空白表面粗糙度诱导LWR和相关粗糙度要求