机译:在具有松弛Ge缓冲层的绝缘体上硅衬底上制造的应变锗锡pMOSFET
机译:一种新颖的三层梯度SiGe应变弛豫缓冲器,可实现高质量晶体并外延生长应变Si_(0.5)Ge_(0.5)层
机译:高晶体质量应变Si0.5为0.5层,厚度高达50nm的三层SiGe菌株松弛缓冲液
机译:应变锗量子井PMOS FinFET在原位磷掺杂的SiGe菌株放松缓冲层使用替换翅片工艺
机译:单电子量子点应用中的应变硅/松弛硅锗异质结构的电气和材料性能。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:使用硅锗应变松弛缓冲器的厚度作为设计参数,改善了应变硅MOSFET的模拟性能