collected charge; fully-depleted silicon-oninsulator; neutron; single-event-transient; ultrathin-body;
机译:单轴应变增强超薄型绝缘体上硅MOSFET的电子迁移率
机译:完全耗尽的绝缘体MOSFET中的反转层电子迁移率分布
机译:完全耗尽型绝缘硅上的MOSFET在扩展温度范围和反向偏置操作下的随机电报噪声的电特性
机译:中子诱导的超级耗尽硅式绝缘体MOSFET中的单一事件瞬态效果
机译:对部分耗尽的绝缘体上硅MOSFET的瞬态辐射影响进行建模和仿真。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析