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机译:完全耗尽型绝缘硅上的MOSFET在扩展温度范围和反向偏置操作下的随机电报噪声的电特性
CITIC Univ Granada, Dept Elect, Granada 18071, Spain;
CITIC Univ Granada, Dept Elect, Granada 18071, Spain;
CITIC Univ Granada, Dept Elect, Granada 18071, Spain;
CITIC Univ Granada, Dept Elect, Granada 18071, Spain;
Utsunomiya Univ, Collaborat Ctr Res & Dev, Utsunomiya, Tochigi, Japan;
Random Telegraph Noise; MOSFET; Silicon-On-Insulator; Reliability; Back-bias; Buried oxide;
机译:MOSFET中的随机电报噪声的电气表征的系统方法
机译:UTBOX绝缘体上硅nMOSFET中与硅膜有关的随机电报噪声
机译:亚阈值状态下极低温度下最终MOSFET中的随机电报噪声
机译:后偏压超薄绝缘子MOSFET随机电报噪声的电气表征
机译:MOS晶体管中随机电报信号和逆频率噪声
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析
机译:晶界对sOI(绝缘体上硅)mOsFET电性能影响的理论实验分析。