机译:GaAs(100),(110)和(111)衬底上的Ge外延膜,用于CMOS异质结构集成的应用
机译:用于高级CMOS应用的高迁移率外延GaAs / Ge沟道材料上的溅射沉积ZrO_2栅极电介质
机译:面向未来的重点:毫米波射频功率应用的紧密材料组合:InP HBT SiGe BiCMOS异质晶圆级集成
机译:Ga和Si上Ge和Ⅲ-Ⅴ材料的集成,用于后CMOS应用
机译:III-V材料与Si CMOS的“结级”异质集成,用于新型非对称场效应晶体管。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:超越CMOS:III-V设备的异构集成,RF MEMS和其他不同材料/设备与SI CMOS创建智能微系统