Planarization; Silicon carbide; Photonic band gap; Electron mobility; Silicon; Carbon; Chemicals;
机译:使用同心凹槽的垫片对铜膜晶圆进行化学机械抛光时产生的摩擦机理分析
机译:铜膜晶圆化学机械抛光的摩擦机理分析
机译:磨料粒度对铜膜晶圆化学机械抛光中摩擦机理的影响分析
机译:通过使用熔融KCI + KOH的化学蚀刻除去4H-SiC晶片对4H-SiC晶片的机械抛光诱导的表面损坏
机译:光从化学机械抛光的晶片上的缺陷散射。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:抛光参数对LiTaO3晶圆化学机械抛光过程的影响
机译:4H-siC的化学机械抛光优化