晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置

摘要

本发明属于不锈钢研磨技术领域，尤其涉及一种晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置。本发明中晶片定位环的研磨方法包括如下步骤：将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；其中，研磨转速为50‑80rpm，研磨时间为35‑45min，研磨液流量为0.7‑1.2mL/s，压重为4.3‑4.8kg。通过本发明中的研磨方法得到的晶片定位环具有较好的平面度，满足小于或等于0.01mm的要求。