机译:通过湿法工艺在未来的CMOS器件中实现超浅结
机译:超薄ALD HfSiON覆盖层在SiON介电材料上针对低功耗应用的Ni-FUSI CMOS技术的应用
机译:Si衬底上掺硼超薄Ge外延层的低温微波退火工艺
机译:全低温微波加工GE CMOS实现扩散的结和超薄7.5nm Ni单锗ide
机译:用于纳米级CMOS结和触点的低温选择性硅锗硼合金技术。
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:通过低温自由基诱导氧化高质量的高质量超大性结构CMOS应用的高质量超薄栅极氧化物