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公开/公告号CN110249411A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 校际微电子中心;栗田工业株式会社;
申请/专利号CN201680090904.5
发明设计人 颜畅子;永井达夫;法里德·赛巴伊;库尔特·沃斯汀;
申请日2016-12-05
分类号
代理机构隆天知识产权代理有限公司;
代理人陈曦
地址 比利时鲁汶市
入库时间 2024-02-19 14:26:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/304 申请日:20161205
实质审查的生效
2019-09-17
公开
机译: SiGe SiGe表面锗化钝化
机译: Ge,SiGe或锗化物的清洁方法
机译: 通过共溅射Ni和Ge并使用内层提高热稳定性在SiGe或Ge上进行硅化和/或锗化
机译:首次检测低温硅烷-锗烷冰中的甲硅烷基锗烯(H _3SiGeH)和D4-甲硅烷基锗烯(D _3SiGeD)分子
机译:通过在绝缘体上氧化图案化的SiGe FIN形成的富含锗的SiGe纳米线
机译:SIGE通道P-MOSFET中SN植入物和固相外延的SN植入物和固相外延的实现硅 - 锗 - 锡(Sigesn)源/漏液
机译:锰-铋和ado-锗-锗锗化物的光发射研究。
机译:较重的CO和CO2同系物作为配体:从零价锗( germylone)到可分离的单体GeX和GeX2配合物(X = SSeTe)
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:Na3Hx(H2pO4)x((GEO)4(GeO4)3).4H2O:具有阴离子/阳离子交换能力的菱形锗化锗糖苷类似物。 (重新公布新的可用性信息)