机译:(GaN)/ InAlN / GaN和InAlN / AlN / GaN HEMT中的栅极滞后效应和漏极滞后效应
机译:用于雷达应用的AlGaN / GaN HEMT器件的S波段脉冲RF工作寿命测试
机译:具有1nm厚InAlN势垒的常关GaN / InAlN / AlN / GaN HEMT的建议和性能分析
机译:S频段中INALN / GAN HEMTS电源装置的开发
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用