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InAlN/GaN HEMT可靠性评估与高频器件研究

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成功解决困扰新型InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HEMT)应用的漏电大、寿命低等瓶颈问题,国际首次实现InAlN/GaN HEMT器件在结温(Tj)150℃下平均失效时间(MTTF)8.9×106小时.同时,攻克30nm直栅和50nm T型栅工艺,分别实现fT为350GHz、fmax为326GHz的InAlN/GaN HEMT高频器件,该结果为目前国内报道最高值.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||51-52|共2页
会议地点西宁
作者
冯志红; 吕元杰; 王元刚; 宋旭波; 房玉龙; 尹甲运; 周幸叶; 谭鑫; 郭红雨; 韩婷婷;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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正文语种
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中图分类
关键词
场效应晶体管; 氮化铟铝; 氮化镓; 异质结; 可靠性评估;

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