4H-SiC; MOS devices; C-AFM; reliability; dielectric breakdown; TDDB; step bunching;
机译:导电原子力显微镜研究多晶氧化f栅极电介质中的介电击穿
机译:氧化膜中的击穿前负微分电阻:导电-原子力显微镜观察和建模
机译:导电原子力显微镜对热氧化SiO_2 / 4H-SiC的可靠性
机译:通过导电原子力显微镜直接观察高应力SiO / sub 2 /薄膜在降解和击穿演化过程中的陷阱行为
机译:高压介电应用中氧化锌和二氧化钛中电击穿和热故障的建模和仿真
机译:氧响应对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜的畴动态和局部电学特性的压电响应力显微镜和导电原子力显微镜研究
机译:通过导电探针原子力显微镜和拉曼成像直接观察外延金刚石肖特基屏障装置的漏电流