机译:用于提取SOI / NMOSFET中热载流子应力引起的后接口陷阱的正向栅极二极管方法
机译:正向栅极二极管R-G电流方法在SOI MOSFET中提取F-N应力引起的界面陷阱的应用
机译:SOI / NMOSFET中载流子应力引起的背向界面陷阱的前向栅极方法
机译:用于提取栅极氧化物厚度和体掺杂浓度的前进门晶片方法
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:不同混合方法对三氧化二矿骨料和富钙混合物的工作时间凝固时间尺寸变化和膜厚的影响
机译:FINFET通过前进门二极管方法进行可靠性分析
机译:退火和氧化层厚度对织构硅中“穿透氧化物”注入p sup +离子掺杂分布形状的影响。