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何进; 黄爱华; 张兴; 黄如;
北京大学微电子学研究所;
正向栅控二极管; R-G电流; NMOSFET; 沟道; 注入区; 场效应晶体管;
机译:正向栅控二极管法直接测量numosfet / soi中应力引起的界面陷阱
机译:SOI NMOSFET中分离前沟道热载流子应力引起的前,后栅极界面和氧化物陷阱的精制正向栅极二极管方法
机译:通过高k栅堆叠的长沟道圆柱形环绕栅MOSFET的直接隧穿电流的分析模型
机译:正向栅控二极管方法提取栅氧化层厚度和体掺杂浓度
机译:In_xGa_ {1-x} sb mOsFET:自洽CV的性能分析 表征和直接隧道栅漏电流
机译:直接探测外星环电流质子非对称注入外辐射区
机译:MOSFET器件结构与NMOSFET器件的栅电极对准的三个间隔开的深硼注入沟道区
机译:使用凹入栅电极和高剂量漏极注入在集成电路结构中的MOS器件的沟道区和重掺杂源极/漏极接触区之间形成梯度掺杂轮廓区
机译:异隧道场效应晶体管(TFET),其具有直接形成在沟道区的隧道屏障,直接在第一源极/漏极区域和相邻的栅电极下方形成
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