III-V semiconductors; aluminium compounds; deep level transient spectroscopy; gallium compounds; high electron mobility transistors; semiconductor device reliability; semiconductor device testing; wide band gap semiconductors; AlGaN-GaN; HEMT; buffer trap; current-mode DLTS peak; deep-level transient spectroscopy; false surface-trap signature; high electron mobility transistor; reliability testing; semiconductor device simulation; DLTS; Deep levels; GaN; Traps; gate lag;
机译:AlGaN-GaN HEMT中陷阱相关效应的表征和分析
机译:Algan / GaN和Alinn / GaN的深层陷阱,具有不同缓冲掺杂技术的血管
机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT中无意识掺杂的GaN缓冲层中的陷阱引起的负跨导效应
机译:Algh-GaN Hemts中缓冲陷阱引起的假表面陷阱签名
机译:用于高频应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT中的陷获效应:使用大信号网络分析仪和深层光谱学进行建模和表征。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱