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卢励吾; 周洁; 梁基本; 孔梅影;
半导体超晶格国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院半导体材料科学实验室;
PM-HEMT; 分子束外延; 深电子陷阱; 钝化; 消除;
机译:电子发射光谱法在MBE生长的InCaN量子阱中陷阱辅助俄歇复合的证据
机译:通过抑制2D成核作用消除(0 0 1)-(1 1 1)B台面结构的GaAs MBE中的(1 1 1)B生长
机译:通过抑制2D成核作用消除(001)-(111)B台面结构的GaAs MBE中的(111)B生长
机译:卤化物化学气相沉积生长的6H-SiC块状晶体中的深电子陷阱陷阱
机译:MBE生长和III / V氮化物半导体薄膜结构的加工:氮化镓铟镓的生长以及离子束和电子束聚焦的纳米加工。
机译:Si(001)表面上CMOS兼容的Ge量子点的致密阵列:UHV MBE生长过程中的簇簇成核原子结构和阵列寿命
机译:通过等电子(在OR sb中)掺杂和选择合适的生长参数来抑制n和p mBE生长的Gaas中的陷阱。
机译:晶格匹配的深宽比陷阱可减少直接在硅上生长的III-V层中的缺陷
机译:在CU / LOW-K BEOL处理过程中,备用焊点结构/钝化集成方案可减少或消除焊线后模中的IMC开裂
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