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砷化镓; 硒化物; 外延层; MBE;
机译: / GaAs的MBE生长条件下GaAs(100)表面上的硫化物钝化涂层
机译:由GaAs / AlGaAs MBE在图案化的δ掺杂GaAs层上再生长形成的超短FET
机译:用于GaAs量子线器件钝化的(111)B表面上的硅中间层的MBE生长和原位XPS表征
机译:薄上限和再生长MBE技术在(001)GaAs上自组装lnAs横向量子点分子的生长
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:用于Gaas量子线器件钝化的(111)B表面上的硅中间层的mBE生长和原位Xps表征
机译:用于表征界面晶体学的技术的关键比较:mBE生长的Gaas上的pd(100)
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
机译:GAAS <100>表面的钝化方法
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