法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20180622
实质审查的生效
2018-12-21
公开
公开
机译: GaN缓冲器中的掺杂和陷阱型材工程最大化AlGaN / GaN HEMT EPI堆栈击穿电压
机译: GaN缓冲中的掺杂和陷阱轮廓工程,可最大程度地提高AlGaN / GaN HEMT EPI击穿电压
机译: 一种用于控制为负载供电的功率转换器的瞬态响应的方法,瞬态响应控制器和功率转换器