机译:系统级的变化感知老化模拟器,使用统一的新型栅极延迟模型处理偏置温度不稳定性,热载流子注入和栅极氧化物击穿
机译:负偏置温度不稳定性与热载流子驱动的130 nm技术p沟道晶体管的阈值电压降低的混合物
机译:偏置温度不稳定性和热载流子注入导致微处理器可靠性下降的系统级建模
机译:统一的FinFET可靠性模型,包括高k门堆堆动态阈值电压,热载体喷射和负偏置温度不稳定性
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:通过退火工艺优化,通过ALD W填充金属在Si P-FinFET中减轻负偏置温度不稳定性